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Vers des mémoires statiques de grande capacité
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La mise au point et la production industrielle de mémoires de grande capacité, sans pièces mobiles susceptibles de rupture, est l'un des grands défis de l'informatique.
Pour atteindre cet objectif, de nombreuses voies technologiques sont explorées dans les laboratoires de recherche et notamment les nanodispositifs magnétiques qui ne sont pas autre chose que de minuscules pistes magnétiques submicroniques, séparées physiquement par des "trottoirs" isolants.
Des chercheurs de l'Institut d'électronique fondamentale, en collaboration avec leurs collègues du Laboratoire de génie électrique de Paris et du Laboratoire Cavendish (Université de Cambridge), ont développé des structures hybrides submicrométriques capables de provoquer une déformation locale à l'aide d'un élément piézoélectrique micrométrique sur lequel est déposée une piste magnétique de quelques centaines de nanomètres de largeur.
Dans ce dispositif, il suffit d'appliquer une tension sur les électrodes placées parallèlement à la piste pour modifier localement cette dernière par magnétostriction inverse. Ces recherches ont débouché sur une première démonstration d'un nanodispositif opérationnel. Ce travail démontre également qu'il est possible de modifier le spin (propriété quantique d'une particule caractérisée par son moment angulaire intrinsèque qui ne peut prendre que valeurs entières ou demi-entières) à l'aide de déformations mécaniques locales, ce qui ajoute un degré de liberté supplémentaire pour contrôler l'aimantation en électronique de spin.
Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash
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