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Electronique post-silicium : le transistor en graphène affirme ses ambitions

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Electronique post-silicium : le transistor en graphène affirme ses ambitions

Mercredi, 13/02/2013 - 06:50 0 commentaire
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Le transistor à base de graphène possède une très grande vitesse de commutation en raison de la combinaison de deux types de transport (effet tunnel et thermo-ionique). Il peut en outre fonctionner sur un substrat transparent et flexible.

Des chercheurs de l'Université de Manchester au Royaume-Uni ont conçu un nouveau transistor à base de graphène dont la structure en sandwich de quelques atomes d'épaisseur est faite de couches de graphène qui emprisonnent une couche de disulfure de molybdène servant d’isolant.

Les chercheurs ont également réussi à exploiter l'effet tunnel qui permet un "saut" des électrons, en modifiant les niveau de tension du courant électrique. A de faibles tensions et à basse température, le courant tunnel varie de manière linéaire avec la tension mais, en revanche, il augmente de façon exponentielle à des niveaux de tensions plus élevés. À ce stade, l'effet thermo-ionique devient le mécanisme de transport des électrons dominant.

Avec seulement quelques couches atomiques d'épaisseur, ce transistor à base de graphène pourrait avoir de multiples applications en électronique flexible.

Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash

Phys

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