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  • Le premier transistor en silicène est né
    AvenirNanomatériaux

    Le premier transistor en silicène est né

    Jeudi, 30/04/2015 - 23:15
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    Le premier transistor en silicène a été développé par un groupe de chercheurs de l'Institut de Microélectronique et Microsystèmes du Conseil national de recherches (Imm-Cnr) d'Agrate Brianza, dirigé par Alessandro Molle, en collaboration avec une équipe de l'Université du Texas, à Austin, ...

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  • Vers des transistors moléculaires en 3D
    AvenirNanoélectronique

    Vers des transistors moléculaires en 3D

    Vendredi, 13/02/2015 - 00:00
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    Demain, les puces informatiques auront des pistes d'une largeur nanométrique et les chercheurs d'IBM sont en pointe depuis 2011 dans la réalisation de transistors 3-D ultrarapides à l'aide d'une nouvelle technologie : l'auto-assemblage. Cette technique repose sur l'utilisation de matériaux ...

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  • Vers des diodes de la taille d'une molécule
    MatièreElectronique

    Vers des diodes de la taille d'une molécule

    Lundi, 15/12/2014 - 07:05
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    L'électronique de demain reposera sur de nouvelles molécules capables d'assumer à elles seules le rôle de transistor ou de diode. Une première étape vers cet objectif a été atteinte par des chercheurs de l'UCL, en collaboration avec l'Université de Stanford. Ceux-ci ont réalisé une diode en ...

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  • Vers un Internet à très grande vitesse !
    TICInternet

    Vers un Internet à très grande vitesse !

    Mardi, 04/03/2014 - 20:14
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    Des chercheurs des laboratoires de recherche d'IBM et de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne travaillent sur l’Internet à très haut débit grâce à un circuit de type convertisseur analogique vers numérique (CAN) ultra rapide. Ce CAN de type SAR (Successive Approximation Register) entrelacé ...

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