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Vers un contrôle des spins
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Une équipe de UCLA (CA) en partenariat avec le Laboratoire National de Los Alamos a réussi a détecter la polarisation du spin d'un électron unique dans un transistor a effet de champ. L'électron est localise dans un défaut paramagnétique de l'oxyde de grille du transistor. Les changements d'orientation du spin modifient la configuration du canal de conduction du transistor et deviennent ainsi détectables. La polarisation du spin est contrôlée par un champ électromagnétique micro-onde. Le dispositif est maintenu a une température de 30K. La prochaine étape sera de détecter les interactions entre les spins d'une paire d'électrons. L'intérêt de ces travaux est de montrer que les composants électroniques "classiques" a base de silicium pourraient être utilises pour des applications plus avancées et a terme pour l'informatique quantique. Il sont finances par les agences de recherche du Ministère américain de la Défense (la DARPA, l'United States Defense MicroElectronics Activity et le Center for Nanoscience Innovation for Defense).
Lettre Etats-Unis Sciences Physiques :http://www.france-science.org/publications/physique/PhysUSA_N13.pdf
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