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Le graphène va-t-il remplacer le silicium en électronique ?

Une équipe de chercheurs du MIT, composée de Ray Ashoori, Andrea Young, Ben Hunt, Javier Sanchez-Yamagishi et Pablo Jarillo-Herrero, est parvenue à créer un wafer de 75 millimètres de graphène.

Ce résultat a pu être obtenu en combinant une couche de graphène, facilitant la circulation des électrons et une couche de nitrure de bore hexagonal, réputé pour ses propriétés isolantes, grâce à sa structure en nid d'abeille. Ce nouveau matériau hybride offre de grandes perspectives dans le cadre de la conception d'un nouveau type de transistors ultrarapides.

Ces travaux ont montré qu'il était également possible de graver un grand nombre de composants sur une seule tranche de ce matériau. Pour parvenir à ce résultat, les chercheurs ont optimisé l'emplacement et l'alignement des atomes.

La prochaine étape de ces recherches consistera à réaliser un cercle imprimé complet sur une tranche de ce matériau composite.

Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash

MIT

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