La croissance de nanotubes de carbone sur du silicium pourrait permettre des transistors à la nanoéchelle, mais uniquement si les concepteurs parviennent à spécifier exactement l'endroit où la croissance de ces dispositifs minuscules doit avoir lieu. Des ingénieurs de l'Université de Case Western Reserve ont prouvé la possibilité de croissance des nanotubes à l'endroit exact où les concepteurs le souhaitent, alignés automatiquement à travers une plaquette.
Les chercheurs annoncent également que les nanotubes se sont soudés automatiquement pendant la croissance et affirment que leurs plaquettes à nanotubes doivent uniquement être coupées et faire l'objet d'un microcâblage sur un porte-puce. Cela les rend ainsi aussi fiables et peu coûteuses que les puces actuelles. « Notre contribution a été d'obtenir une technique où la croissance des nanotubes se produit à l'endroit où on le souhaite, c'est-à-dire entre deux bornes électriques », déclare Massood Tabib-Azar, professeur de génie électrique à Case Western (Cleveland).
La méthode de Case Western vise à placer les nanotubes à l'endroit même où ils sont requis sur une puce et de mettre à l'échelle le procédé à travers la plaquette, de sorte que la croissance des nanotubes se produise simultanément et qu'ils se soudent automatiquement. « Le soudage automatique est la véritable avancée fondamentale », ajoute M. Tabib-Azar. « La croissance a lieu d'une borne à l'autre, et lorsqu'ils atteignent la borne suivante, ils se soudent à celle-ci. » Les chercheurs envisagent, par la suite, de créer une puce de capteur à base de nanotube ultrasensible pour détecter des gaz
