Des chercheurs de l'Université d'Urbana Champaign ont réalisé un laser à partir d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT). En incorporant des puits quantiques dans la région active d'un transistor, ils ont pu déclencher un processus d'émission stimulée. A la différence d'une diode électro-luminescente qui émet de la lumière sur une large gamme spectrale, le transistor laser émet un faisceau fin et cohérent. Milton Feng d'Urbana indique que ce dispositif est à la fois un laser et un transistor à trois portes : une entrée et une sortie électrique, plus une sortie optique. Feng avait déjà fait la une des nouvelles scientifiques il y a quelques mois (Voir Lettre Sciences Physiques N.8) grâce à la réalisation du transistor le plus rapide (509 GHz). Les transistors lasers ont été réalisés avec de l'InGaP, GaAs, et InGaAs, mais peuvent intégrer d'autres matériaux de la famille III-V. Ces types de lasers pourraient améliorer sensiblement la vitesse de transport de l'information et du traitement du signal, intra-puces. Ce travail est financé par la DARPA.
