Le géant informatique américain IBM a annoncé mardi avoir mis au point deux techniques de fabrication permettant de produire plus rapidement des semi-conducteurs plus économes en énergie. La société affirme avoir créé un procédé pour associer deux couches de silicium permettant d'accroître la performance des transistors fabriqués selon la technologie CMOS (complementary metal oxide semiconductor). IBM ajoute avoir maîtrisé les problèmes de fabrication en utilisant du silicium pressé directement sur isolant (SSDOI) associé à la technologie du silicium sur germanium ("Silicon on Germanium", ou SiGe), qui permettra également d'augmenter les vitesses de calcul et réduire la consommation électrique. "Ces deux techniques innovantes sont relativement simples à appliquer en utilisant les procédés standard des tranches (de silicium)", a expliqué dans un communiqué le Dr. T.C. Chen, vice-président du département science et technologie d'IBM Research. "Appliquer l'une ou l'autre pourrait offrir à l'industrie des puces plus performantes, plus économes en énergie, et les combiner pourrait même aboutir à des performances plus grandes et de plus grandes économies en termes d'énergie. IBM a produit des transistors utilisant des structures ultra-fines SSDOI. Cette méthode appliquée à une production en série pourrait améliorer la performance de 20 à 30 %, avait-il précédemment affirmé. IBM a également travaillé à améliorer la performance CMOS en combinant deux substrats sur le même "wafer" (planche de silicium). Cela a permis un accroissement de la performance de 40 à 65 %.
Reuters : http://fr.news.yahoo.com/030909/85/3dzle.html
IBM : http://www-1.ibm.com/press/PressServletForm.wss?
