Les chercheurs du Laboratoire de physique des solides et de cristallogenèse (CNRS - Université de Versailles, Meudon) viennent de montrer pour la première fois qu'il est possible d'obtenir un diamant de haute conductivité électrique véhiculée par des électrons. Ces résultats ont des applications directes dans le domaine de la micro-électronique. Ils font l'objet d'une publication dans le numéro de juillet de Nature Materials. Le diamant, en raison de ses propriétés physiques et chimiques exceptionnelles, est un semi-conducteur unique pour la fabrication de dispositifs électroniques et opto-électroniques*. Cependant, l'absence de diamant de type n** possédant des qualités électriques satisfaisantes a constitué jusqu'alors un sérieux handicap à leur réalisation. Les chercheurs du Laboratoire de physique des solides et de cristallogenèse viennent de démontrer pour la première fois qu'il est possible d'obtenir du diamant de type n de haute conductivité électrique à la température ambiante. L'opération consiste à diffuser de l'hydrogène dans du diamant contenant du bore. On obtient ainsi une conversion réversible de type p à type n. Les conductivités électriques de type n obtenues sont 10 000 fois plus élevées que celles obtenues par le procédé classique (incorporation directe de phosphore). Ces résultats ouvrent un vaste champ de recherche tant fondamental qu'appliqué. Les applications concernent principalement l'électronique haute température à base de diamant (transistors, diodes...) qui sera nécessaire dans le futur dans le domaine spatial, le domaine automobile, ainsi que dans les secteurs des télécommunications et de la distribution d'énergie. Ces travaux ont donné lieu à une demande de brevet déposé par le CNRS (06/12/2002).
CNRS :
http://www.cnrs.fr/cw/fr/pres/dyncom/communique.php?article=227
