A l'occasion de l'International Electron Devices Meeting de San Francisco, IBM vient d'annoncer la mise au point de transistors de seulement six nanomètres (nm) de large, ou 0,06 micron. On mesure mieux cette nouvelle prouesse technologique quand on sait que les plus petits transistors actuellement commercialisés sont 20 fois plus gros (130 nanomètres) et que la prochaine génération de transistors prévue pour 2005 sera gravée par Intel en 65 nm. Ce résultat arrive à point pour rassurer le consortium des entreprises productrices de semi-conducteurs qui estime qu'il faudrait que les transistors atteignent une taille critique de 9 nm en 2016 au plus tard pour soutenir la croissance des performances des processeurs. Cet objectif devrait être atteint sans difficultés avec ce nouveau record d'IBM qui s'est cependant gardé d'avancer une date quant à la mise en production à l'échelle industrielle. Le prototype utilisé pour la démonstration a demandé un an de travail. De nombreuses étapes restent à franchir avant une exploitation industrielle de cette mise au point. Pour accomplir cet exploit, les chercheurs d'IBM ont gravé les transistors sur une couche comprise entre 4 et 8 nm d'épaisseur de "silicium sur isolant" (silicon on insulator ou SOI), reconnu pour ses propriétés d'accélération de la charge électrique, combiné à une longueur d'onde de 248 nm pour la lithographie. Cette annonce d'IBM vient repousser encore un peu plus les limites de la fameuse loi énoncée par Gordon Moore en 1965 et qui prévoit le doublement du nombre de transistors par processeur tous les deux ans environ.
IBM :
http://www.research.ibm.com/resources/news/20021209_transistor.shtml
