IBM et STMicroelectronics annoncent séparément des solutions pour remplacer l'AsGa dans les amplificateurs de puissance radio-fréquence, un composant clé des téléphones mobiles. IBM annonce qu'il est désormais possible d'utiliser des amplificateurs de puissance en technologie SiGe (Silicium- germanium) dans les téléphones mobiles et autres équipements électroniques sans fil. La technologie SiGe se substitue ici à des composants réalisés en AsGa (arséniure de gallium), plus chers. Les nouveaux amplificateurs de puissance radio-fréquence bénéficient de la meilleure conductivité thermique du SiGe : ils fonctionnent à plus basse température, ce qui améliore leur fiabilité. Enfin, le procédé de fabrication des composants SiGe (BiCmos) permet d'intégrer plus de fonctions sur une seule puce, ce qui laisse envisager une plus grande compacité des appareils. Les premiers amplificateurs de puissance SiGe annoncés par IBM sont un amplificateur pour TDMA à 800 MHz (disponible), un amplificateur CDMA à 800 MHz (au stade du prototype), et un amplificateur CDMA à 1900 MHz dont des prototypes seront disponibles le mois prochain. De son coté, STMicroelectronics clame, ce même jour, qu'il a " gagné la course " au développement d'une solution de rechange pour les coûteux amplificateurs de puissance radio-fréquence en AsGa utilisés dans les téléphones mobiles. ST s'appuie sur une technologie de silicium améliorée, associée à une nouvelle méthode de conception de circuits RF. Les premiers produits sont annoncés pour avril 2002.
Usine Nouvelle :
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