Motorola a mis au point une technologie de gravure de circuits imprimés permettant de produire à l'échelle industrielle des semiconducteurs d'une densité supérieure de 50 % à la norme actuelle. Le fabricant américain dit avoir conçu des photomasques - matériau appliqué sur le silicium lors de la fabrication des semiconducteurs- permettant d'obtenir des circuits intégrés d'une largeur inférieure à 100 nanomètres (0,10 microns). Motorola espère commencer à utiliser ces masques d'ici 2002 avec un prototype d'appareil de photolithographie à ultraviolet (EUV), et compte à terme réaliser des photogravures de l'ordre de 13 nanomètres (0,013 microns), selon Joe Mogab, directeur du laboratoire DigitalDNA de Motorola. Des outils EUV de production industrielle ne sont pas attendus avant 2005, dit-on chez Motorola. A titre de comparaison, un cheveu humain mesure 10.000 nanomètres de diamètre (10 microns) et la norme industrielle de la prochaine génération de puces est de 157 nanomètres (0,15 microns). Lorsque cette technologie EUV entrera en action, les wafers - les disques de silicium servant de matière première à la fabrication des puces - devraient mesurer 0,05 microns (50 nanomètres) d'épaisseur contre l'actuelle norme de 0,13 microns (130 nanomètres), ajoute Mogab. Motorola envisage d'abord de maîtriser la fabrication de ses photomasques EUV avant de proposer sa technologie en licence. La photolithographie devrait, selon la loi de Moore (qui établit que la capacité des microprocesseurs (nombre de transistors sur une surface donnée) double tous les 18 mois), atteindre ses limites aux environs de 2012.
Reuters : http://fr.news.yahoo.com/010830/85/1ktcl.html
