IBM vient d'annoncer la mise au point de nouveaux transistors à base de silicium et de germanium qui permettront de fabriquer d'ici deux ans des semi-conducteurs cinq fois plus rapides que les modèles actuels. 80% de performances en plus et 50% de consommation électrique en moins, voilà les caractéristiques d'un nouveau transistor conçu par IBM qui devrait doper les microprocesseurs de demain. IBM indique que les premiers résultats pourraient aboutir «d'ici deux ans». Dans un premier temps, les processeurs dérivés ne seront pas destinés au grand public mais plutôt aux opérateurs de télécommunications qui utiliseront ces puces de grande capacité pour augmenter le débit de leurs réseaux informatiques. Le nouveau transistor est doté d'un composant remanié qui ajoute au traditionnel silicium (matériau de base de l' l'électronique) du germanium, un autre semi-conducteur qui n'a jamais été employé à grande échelle. La technologie "SiGe" ne date pas d'hier (premiers travaux en 1989), mais il fallait repenser l'architecture même du transistor pour profiter pleinement de ce nouveau composant. À terme, IBM affirme que ces transistors permettront de mettre au point des puces cadencées à 210 GHz avec seulement 1milliampère d'électricité. Une annonce qui a de quoi faire pâlir Intel qui vient de se donner comme objectif les 20 GHz pour 2007.
Brève rédigée par @RT Flash
BBC :
http://news.bbc.co.uk/hi/english/sci/tech/newsid_1408000/1408664.stm
IBM :
http://www.chips.ibm.com/news/2001/0625_fasttran.html
