Quelques semaines seulement après la mise au point d'un élément de transistor de 50 nanomètres aux Bell Labs, et d'un transistor de 20 nanomètres par le Léti de Grenoble, les chercheurs de l'université de Berkeley (Californie) annoncent avoir fait fonctionner un transistor de 18 nanomètres. Comme chez Bell Labs, c'est de la porte des transistors qu' est venue l'innovation décisive. La porte est un minuscule élément conducteur qui contrôle le passage de courant dans le circuit. Plus elle est étroite, et plus le transistor sera petit et rapide. D'habitude, la porte est placée dans la partie supérieure du transistor, au-dessus du canal par lequel le courant électrique passe. Une méthode éprouvée, mais qui oblige à conserver de grandes dimensions. L'équipe de Chenming Hu à Berkeley a essayé de placer un porte plus étroite en plein coeur du canal et cela fonctionne. Baptisé FinFET, ce transistor devrait encore gagner en finesse puisque les chercheurs pensent parvenir à réduire ses dimensions à 9 nanomètres. A cette épaisseur, il ne reste plus qu'une cinquantaine d'atomes, mais les puces pourraient être 400 fois plus puissantes. Les spécialistes estiment que cette nouvelle technologie va permettre de pousser l'electronique sur silicium dans ses ultimes retranchements et de continuer à respecter la fameuse loi de Moore (qui veut que la rapidité des microprocesseurs double environ tous les 18 mois) au moins jusqu'en 2014.
brève rédigée par @RTFlash
Wired : http://www.wired.com/news/technology/0,1282,32713,00.html
