Des chercheurs de Lucent Technologies vont annoncer à l'occasion delà conférence International Electron Devices Meeting (IEDM), qui se tiendra à Washington début décembre, la mise au point d'un nouveau transistor vertical. Bien que ce types de transistor ait été développé par de nombreuses équipes au cours de ces dernières années, la fabrication du transistor de Lucent serait plus facile à industrialiser et permettrait d'accélérer la miniaturisation des circuits électroniques . Dans les transistors actuels, la taille de la zone active est limitée par la précision du procédé de fabrication, soit 0,18 micron pour les dernières technologies. La structure verticale permet de dépasser cette limite, et de descendre en dessous des 0,05 microns, soit 50 nanomètres, pour réaliser des transistors aux zones actives encore plus petites, pouvant donc fonctionner à de plus grandes fréquences. Autre avantage très appréciable du transistor vertical, il a deux portes, à droite et à gauche, au lieu d'une seule placée au-dessus, ce qui permet en théorie de doubler sa vitesse de fonctionnement.
brève rédigée par @RTFlash
New-York Times : http://www.nytimes.com/yr/mo/day/national/index-science.html
