Le géant sud-coréen de l'électronique Samsung a annoncé lundi avoir mis au point la première puce d'un gigabit destinée à la prochaine génération d'ordinateurs. Samsung a mis au point une mémoire SDRAM "double data rate" (DDR) en ayant recours à une technologie permettant de réduire à 0,13 micron la taille de la puce. "Le développement de ce circuit d'un gigabit est significatif dans la mesure où nous sommes parvenus dans la production de semi-conducteurs d'une taille de 0,13 micron", a indiqué le groupe dans un communiqué. "Nous sommes maintenant compétitifs sur le marché des semiconducteurs traditionnels, et nous le serons également sur celui des mémoires à 256 megabits", a indiqué son vice-président Hwang Chang-Gyu. La technologie 0,13 micron sera utilisée dans la production des DRAM de 128 et 256 megabits, améliorant ainsi la compétitivité de Samsung pendant les périodes de chute des prix des semiconducteurs. La mémoire DDR SDRAM de Samsung a la puissance de 4 mémoires DRAM de 256 megabits et permet de stocker l'équivalent de 8.000 pages de journal. Elle sera destinée notamment aux applications de télévision haute-définition, de communication par satellite et aux transactions par commerce électronique. La production en série de cette nouvelle mémoire devrait commencer d'ici un an, selon les analystes.
AFP/28/06/99
_ http://www.yahoo.fr/actualite/19990628/multimedia/930558000-yaho059.280699.102008.html
