Les chercheurs de l’Université de Berkeley ont mis au point une mémoire non volatile qui serait capable de retenir ses données pendant un milliard d’années, contre seulement quelques dizaines d'années pour les puces mémoires en silicium. Les études menées conjointement avec le département américain de l’énergie n’augmentent pas seulement la durée de vie de la mémoire, mais améliorent aussi sa capacité.
La mémoire en question utilise une nanoparticule de fer enfermée dans un nanotube de carbone. Le fer se déplace au sein du nanotube et sa position va représenter un 1 ou un 0. La particule de fer se déplace lorsqu’un courant électrique d’une faible intensité est appliquée et le système prend connaissance de la position de la particule en mesurant la résistance électrique à un endroit précis du tube.
Ce genre de mémoire permet de concentrer 500 milliards de bits par centimètre carré. Par comparaison, les dernières générations de mémoire Flash NAND Toshiba ou Samsung gravées en 32 nm à 3 bit par cellule atteignent tout juste 28 Gbit/cm2 et la dernière génération de disques durs enregistrent 51 Gbit/cm2 sur leurs plateaux.
Par ailleurs, vu que le système est hermétiquement fermé, il est moins sensible aux aléas environnementaux. De plus, le fait que cette mémoire consomme peu permet non seulement de faciliter son évolution, mais elle pourrait être fabriquée avec des outils déjà existants. Les chercheurs sont en fait tellement confiants dans leurs technologies qu’ils affirment qu’une telle mémoire pourrait débarquer sur les marchés d’ici deux ans.
