Les Led vont-elles bientôt entrer dans l’ère du silicium pour devenir des composants aussi faciles à fabriquer que les microprocesseurs, les circuits logiques programmables ou encore les mémoires flash ? En tout cas, les chercheurs l’espèrent.
Ainsi la société américaine Bridgelux vient de faire la démonstration d’une technologie LED à base de nitrure de gallium (GaN) sur silicium offrant un rendement lumineux de 135 lumens par watt. Elle est présentée comme la première percée de ce type proche du marché puisque la commercialisation est prévue dans les deux à trois années à venir.
Aujourd’hui, les LED sont réalisées avec des semiconducteurs exotiques comme le nitrure de gallium que l’on fait croitre par épitaxie sur un substrat de saphir ou de carbure de silicium. En passant à un substrat de silicium, il devient possible d’utiliser les procédés de fabrication banalisés dans la production des puces électroniques. A la clé une réduction des coûts de 75 % en comparaison avec les approches actuelles, selon Bridgelux.
Le rendement de 135 lumens par watt a été atteint à une température de couleur corrélée de 4 730 K et pour un courant de 350 mA. Les tensions de service se situent entre 2,90 V à 350 mA et 3,25 V à 1 A. Selon Bridgelux, cette technologie est idéale pour des applications d’éclairage général. La société espère utiliser des tranches de silicium de 200 mm (8 pouces), courantes dans la fabrication de semi-conducteurs.
