Des chercheurs de l'Institut Fédéral de Technologie de Zurich (l'ETH) ont construit un transistor en plaçant un nanotube de carbone entre deux points de contact et en utilisant un procédé de fabrication prometteur. Les résultats de ces recherches ont été publiés dans la revue Nature Nanotechnology du mois de juillet. Elles montrent qu'il est possible d'assembler un nanotube de carbone entre deux bouts de polysilicium. Les contacts électriques sont optimisés grâce à la déposition de palladium à chaque bout. Un substrat de silicium est en suite placé trois microns en dessous du nanotube et sert de grille, tandis qu'un masque est placé au-dessus afin de le protéger.
L'autre avantage de ce procédé de fabrication est l'absence de phénomène d'hystérésis, soit la tendance à demeurer dans un certain état quand la cause extérieure qui a produit le changement d'état a cessé. Concrètement, après une hausse rapide puis une baisse de la tension, certains transistors peuvent constater un changement dans le seuil de tension pouvant être prise en charge par la grille. L'absence d'hystérésis est le signe d'un transistor de qualité, selon les chercheurs. Ces transistors pourraient intégrer des capteurs et autres NEMS. Nous sommes encore loin d'une commercialisation de masse, mais ces recherches permettent maintenant de se concentrer sur la miniaturisation d'un transistor prometteur, les bases étant maintenant posées.
