A l'initiative de chercheurs de l'Université de Delaware, demain risque d'être le jour de gloire du Carbure de Silicium dopé au germanium. Meilleur diffuseur de chaleur, il supporte des températures de 325 degrés Celsius, contre 125 pour son prédécesseur. Une différence considérable qui accélère la fréquence des circuits électroniques, c'est à dire leur vitesse. Cette propriété leur permettra aussi de fonctionner à proximité de fortes sources de chaleurs.
Science&Avenir
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