L'électronique dite "nomade" qui a envahi notre quotidien dépend de manière cruciale des composants qui conservent les données quand l'appareil est éteint. Ce sont des mémoires dites "non volatiles". Aujourd'hui, il existe trois grandes familles de ce type de mémoires : les mémoires magnétiques, les plus consommatrices d'énergie, les mémoires flash, pour lesquelles les temps d'écriture et de lecture sont plus longs, enfin les mémoires ferroélectriques, les plus rapides, mais avec lesquelles les informations stockées sont détruites lors de la lecture. Commercialisées depuis plus de dix ans, ces dernières sont utilisées pour des applications de niche telles que certaines consoles de jeux. Des travaux dont les résultats ont été publiés dans Nature du 31 mai dernier risquent de bouleverser ce tableau.
En collaboration avec des chercheurs de l'Université de Cambridge et du groupe Thales, une équipe de l'Unité Mixte de Physique CNRS/Thales/Paris-Sud 11 est parvenue en effet à marier deux phénomènes physiques, la ferroélectricité et l'effet tunnel, montrant ainsi la faisabilité d'un nouveau type de mémoire ferroélectrique, dont la lecture ne détruirait pas le contenu. Combinant ces deux phénomènes en utilisant comme isolant un matériau ferroélectrique, ces chercheurs ont réussi à y préserver la ferroélectricité, généralement fragilisées à ces échelles nanométriques. Ils ont pu ainsi observer que l'orientation de la polarisation affectait de manière spectaculaire l'effet tunnel et le partage d'un courant électrique au sein du dispositif. D'où la possibilité de lire de façon non destructive l'état de polarisation, c'est-à-dire le contenu de l'élément de la mémoire.
Ces résultats prometteurs ouvrent dès à présent la voie à la simplification de l'architecture des mémoires ferroélectriques actuelles, avec pour perspectives une diminution des coûts, une augmentation de la densité de stockage ainsi que de la rapidité et une moindre consommation électrique.
