Une équipe de scientifiques coréens a développé un nanotransistor qui serait le plus rapide du monde. Il s'agit d'un semi-conducteur qui pourra être utilisé dans les applications de haute technologie telles que les satellites et les services de télécommunication.
L'équipe dirigée par SEO Kwang-seok, professeur d'ingénierie à Seoul National University a indiqué qu'il était parvenu à créer un transistor à électrons mobiles de 15 nanomètres (High Electron Mobility Transistor) fonctionnant à une fréquence maximale de 610 Gigahertz. C'est la compagnie japonaise Fujitsu qui avait précédement développé le nanotransistor le plus rapide. Il mesure 24 nanomètres et fonctionne à une vitesse de 562 Gigahertz.
L'équipe coréenne a utilisé sa propre technologie de "gravage en pente" ("slope etching process") afin de matérialiser les électrodes hyperfines des transistors. Cette avancée est une étape importante pour l'industrie des semi-conducteurs qui devrait représenter quelques 4,2 milliards d'Euros de chiffre d'affaire en 2008. La technologie HEMT réduit en effet les coûts de production à moins de la moitié du prix des matériaux utilisés actuellement.
