Matière
- Matière et Energie
- Energie
Les transistors verticaux miniaturisés relancent la miniaturisation électronique
- Tweeter
-
-
1 avis :
Une équipe de chercheurs du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS-CNRS) a développé une méthode novatrice pour la fabrication de transistors verticaux miniaturisés. Cette technique, basée sur l’utilisation de nanofils de silicium, permet la création de contacts métalliques d’une fiabilité et d’une performance jusqu’alors inégalées.
L’innovation majeure réside dans l’abandon de la résine photosensible traditionnellement utilisée pour le dépôt sélectif du métal. Les scientifiques ont opté pour une approche alternative. Une couche métallique est déposée à la base des nanofils, puis structurée par un procédé de gravure couramment employé dans l’industrie des semiconducteurs. La nouvelle méthode présente des avantages significatifs. Elle permet notamment de réduire la résistance électrique des contacts métalliques, améliorant ainsi sensiblement leurs performances. De plus, la reproductibilité du procédé s’avère excellente, garantissant une uniformité des caractéristiques d’un transistor à l’autre.
Le potentiel de la technologie a été démontré par les chercheurs. Des portes logiques NOR et NAND, éléments fondamentaux de la plupart des fonctions logiques dans les circuits intégrés, ont été réalisées. L’utilisation de transistors verticaux de taille nanométrique, avec des longueurs de grille inférieures à 20 nm, pourrait permettre de réduire d’environ 50 % la surface du substrat utilisée par rapport aux technologies planaires actuelles. Cette avancée représente un pas important vers la densification des circuits intégrés.
La prochaine étape des travaux est déjà envisagée par les chercheurs : la réalisation d’empilements de plusieurs niveaux de transistors verticaux. Cette approche pourrait conduire à une augmentation encore plus significative de la densité des composants électroniques.
Les implications de cette avancée technologique sont considérables pour l’industrie électronique. La possibilité de créer des circuits plus compacts ouvre de nouvelles possibilités pour des appareils électroniques plus petits, plus puissants et potentiellement plus économes en énergie.
Les résultats de cette recherche ont été publiés dans la revue scientifique ACS Nano Letters. La publication souligne l’importance de cette avancée pour la communauté scientifique et l’industrie des semiconducteurs. Cette innovation dans la fabrication de transistors verticaux marque une étape importante dans l’évolution de l’électronique. Elle laisse entrevoir un futur où les appareils électroniques seront encore plus intégrés dans notre quotidien, offrant des performances accrues dans des formats toujours plus compacts.
Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash
Noter cet article :
Vous serez certainement intéressé par ces articles :
Edito : Le stockage massif et bon marché de l'énergie : un enjeu technologique et économique majeur pour le monde...
Campagne de Dons pour sauver RT Flash en 2025 Constatant que cette année, pour la première fois, nous n’atteindrions pas notre objectif de 15.000,00 euros si nous ne réagissions pas, j’ai pris la ...
Transformer le CO2 en carburant
La start-up SpiralWave a fait sensation dans le domaine des technologies climatiques en dévoilant un projet révolutionnaire : un dispositif capable de capturer le dioxyde de carbone (CO₂) de ...
Vers un système de stockage d’électricité sous-marin
L’institut Fraunhofer veut développer un système de stockage d’électricité sous-marin équivalent à un système de pompage-turbinage (STEP). Cette fois au fond de la mer, le concept repose sur une ...
Recommander cet article :
- Nombre de consultations : 0
- Publié dans : Energie
- Partager :