Le premier transistor en silicène a été développé par un groupe de chercheurs de l'Institut de Microélectronique et Microsystèmes du Conseil national de recherches (Imm-Cnr) d'Agrate Brianza, dirigé par Alessandro Molle, en collaboration avec une équipe de l'Université du Texas, à Austin, coordonnée par Deji Akinwande.
Le silicène est un matériau bidimensionnel basé sur des atomes de silicium qui n'existe pas dans la nature. L'intérêt pour ce matériau a augmenté de façon exponentielle car il présente la possibilité d'être intégré dans des dispositifs nanoélectroniques avec une miniaturisation extrême.
Dans le cadre du projet européen 2D-Nanolattices, l'équipe de recherche italo-américaine a réussi à extraire le silicène de son support et à le transférer sur une plate-forme compatible avec un dispositif. Ce procédé a été effectué en deux étapes : d'abord le silicène a été recouvert avec un oxyde protecteur. Ensuite une feuille de silicène emprisonnée entre l'alumine d'une part et une couche ultra-mince d'argent de l'autre a pu être extraite. Ce "sandwich" a été ensuite renversé sur une base d'oxyde de silicium, laissant l'argent seulement dans deux zones de contact sélectionnées qui ont agi comme électrodes. A la fin de ce processus, le silicène a fonctionné comme "canal" pour le transport de charge d'un transistor à effet de champ.
Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash
Consiglio Nazionale delle Ricerche
