Avec l'engouement généralisé pour les appareils électroniques, il devient nécessaire d'en réduire la dissipation de l'énergie, affirme une équipe de scientifiques de l'école Polytechnique fédérale de Lausanne et du centre de recherche d'IBM. Les deux institutions misent pour cela sur les nanoélectroniques. Elles se sont rapprochées pour soutenir un projet de recherche européen. Baptisé Steeper, celui-ci vise à développer des circuits électroniques où le passage du mode "on" au mode "off" se fait de façon plus prononcée, plus abrupte que dans les semi-conducteurs classiques.
Pourquoi ? Afin de mettre au point des téléphones portables, des ordinateurs, ou encore des télévisions plus économes - en réduisant notamment le voltage des appareils à moins de 0.5 volt. Pour parvenir à ces économies d'énergies, les chercheurs misent ainsi sur les "tunnel field effect transistors” (TFET). Ces circuits sont basés sur des matières comme le silicium(SI) et intègrent également des nanofils. "Les nanofils sont des structures cylindriques de quelques nanomètres de diamètres, ce qui permet un contrôle électrostatique optimal des conduits du transistor", précisent-ils.
Dans les transistors traditionnels, l'énergie 'fuit' de façon continue, et peut notamment être gâchée lorsque l'appareil est en veille", expliquent les scientifiques. "L'objectif du projet Steeper est de contenir la fuite, avec des matériaux plus adaptés, permettant de fermer la valve de façon plus efficace", développent-ils. Commencé en juin 2010, le projet s'étale sur une période de trois ans. Les chercheurs rappellent que selon l'International Energy Agency (IEA), les appareils électriques comptent pour 15 % de la consommation d'énergie des foyers.
