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L'inspirateur des mémoires du futur reçoit la médaille d'or 2003 du CNRS

La découverte d'Albert Fert, la GMR, a permis d'augmenter considérablement la capacité des disques durs actuels. Elle contribue aussi au développement de l'électronique de spin, dont les applications concernent entre autres les mémoires du futur MRAM. Le CNRS (Centre national de recherche scientifique) a choisi de décerner sa médaille d'or 2003 à Albert Fert, professeur à l'université Paris-Sud et directeur scientifique à l'Unité mixte de physique CNRS-Thales. Le physicien est distingué «pour sa découverte de la magnétorésistance géante (Giant Magneto-Resistance, GMR) en 1988 et sa contribution au développement de l'électronique de spin». La GMR est à l'origine de l'élaboration de têtes de lecture magnétique extrêmement sensibles, qui équipent aujourd'hui la quasi-totalité des disques durs, rappelle le CNRS dans un communiqué. Grâce à ces têtes de lecture, la densité de stockage d'information sur ces supports s'est considérablement élevée: la capacité de certains disques durs peut désormais dépasser 200 giga-octets (Go). L'utilisation de cette technologie a permis d'augmenter la croissance de la densité de stockage de 120% par an entre 1998 et 2002. La découverte de la GMR a, par ailleurs, donné le coup d'envoi à un nouveau domaine de la physique, l'électronique de spin (ou spintronique). Celle-ci «exploite une caractéristique quantique de l'électron: le spin, que l'on peut imaginer comme une minuscule aiguille de boussole portée par l'électron», explique Albert Fert. «Alors que l'électronique classique guide les électrons en exerçant une force sur leur charge électrique, l'électronique de spin les guide en agissant sur leur spin.» La GMR et l'électronique de spin ont eu un impact non seulement sur l'enregistrement magnétique, avec les têtes de lecture pour disques durs, mais aussi dans le domaine des capteurs magnétiques. Ceux-ci permettent de détecter un champ magnétique, un objet ou encore le mouvement d'un objet comportant un aimant, et sont utilisés notamment dans le secteur de l'automobile. L'électronique de spin intervient également dans le développement des mémoires électroniques, avec l'apparition sur le marché annoncé pour l'horizon 2004, 2005 des premières générations de MRAM (Magnetic Random Acess Memory). Grâce à celles-ci, il sera possible de démarrer son ordinateur de manière quasi instantanée, comme une télévision. A terme, elles devraient également équiper la plupart des appareils nomades, domestiques et grand public (agendas électroniques, appareils photos, téléphones...). «C'est dans le créneau de l'électronique nomade que les MRAM s'intégreront sans doute le plus vite. Il est intéressant de noter que les premiers développements industriels de MRAM devraient être localisés en France, à Corbeil-Essonne (consortium Altis associant IBM et la société allemande Infineon) et à Crolles, près de Grenoble (consortium Motorola - STMicroelectronics - Philips), conclut Albert Fert.

CNRS : http://www2.cnrs.fr/presse/communique/271.htm

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