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Isolation électrique des transistors : Intel franchit un pas décisif

Le fabricant américain de puces électroniques Intel vient de présenter des avancées dans la maîtrise d'une technologie d'isolation des circuits électriques qui pourrait lever le principal obstacle vers des microprocesseurs toujours plus puissants. Le premier fondeur mondial a dévoilé lors de l'International Gate Insulator Workshop, à Tokyo, ses découvertes sur un matériau hautement isolant, appelé "high-k dielectric", au pouvoir isolant supérieur au dioxyde de silicium traditionnellement utilisé par l'industrie électronique depuis environ 30 ans. A mesure que les fondeurs de microprocesseurs augmentent la densité de transistors afin d'accroître la puissance des puces, les circuits électriques de plus en plus fins tendent à devenir victimes de déperdition électrique, ce qui diminue l'autonomie des ordinateurs portables et augmente le dégagement de chaleur, contraignant les constructeurs à utiliser de coûteux systèmes de refroidissement. Intel et ses concurrents ont jusqu'ici respecté la "loi de Moore", du nom d'un des cofondateurs d'Intel, Gordon Moore, qui a prédit en 1965 que le nombre de transistors présents sur les processeurs doublerait tous les 18 mois. En augmentant sans cesse le nombre de ces petits interrupteurs qui s'ouvrent et se ferment des millions de fois par seconde et en les faisant tenir sur des surfaces de plus en plus réduites, les fondeurs ont pu augmenter sans grande innovation technologique la puissance des processeurs. Alors que le premier processeur Pentium d'Intel contenait 3,1 millions de transistors en 1993, le Pentium 4 actuel avoisine les 55 millions, et on devrait atteindre en 2007 le milliard de transistors embarqués sur un seul processeur d'une taille inférieure à celle d'un timbre-poste. En février dernier, Moore lui-même avait estimé que sa loi resterait valable pendant encore une décennie environ. Mais il a averti que le problème de déperdition d'énergie devait être résolu pour réduire la chaleur dégagée par des microprocesseurs, tellement chargés en transistors que leur état devient "proche de la densité électrique d'un réacteur nucléaire". "Le problème électrique est le plus important pour l'industrie à l'heure actuelle", a renchéri Rob Willoner, un analyste d'Intel. Comme le nouveau matériau isolant exploité par Intel n'est pas compatible avec les électrodes en silicium oxydé actuelles qui déterminent si un transistor est ouvert ou fermé, Intel devra utiliser du métal pour de nouvelles électrodes, a-t-il précisé, sans révéler la composition de ces nouveaux matériaux. Intel a affirmé être en mesure d'utiliser ces nouveaux concepts pour une production industrielle à partir de 2007, soit à peu près en même temps que la technologie de gravure des circuits électriques d'une finesse de 45 nanomètres, contre 130 actuellement.

Intel : http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20031105tech.htm

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