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Electronique sur silicium : Intel fait exploser les limites de la miniaturisation

Au cours de cette année 2001 Intel n'aura cessé de repousser les limites de la miniaturisation des puces électroniques grâce à une succession d'innovations remarquables. Il y a deux mois Intel annonçait la mise au point d'une nouvelle technologie de fabrication des semiconducteurs, baptisée BBUL (pour "Bumpless Build-Up Layer"), qui lui permettra de produire d'ici 2007 des microprocesseurs contenant un milliard de transistors et cadencés à 20 gigahertz. (voir la rubrique électronique de @RTFlash 164 du 19-10-01 http://www.tregouet.org/lettre/index.html). Mais voici qu'Intel vient d'annoncer la mise au point un nouveau type de transistor, baptisé TeraHertz, qui permettra de produire des semi-conducteurs 500 fois plus rapides que nos meilleurs puces actuelles à 2 GHz et consommant beaucoup moins d'énergie. Cette nouvelle technologie résout deux problèmes majeurs: la consommation d'énergie et la chaleur, principaux obstacles actuels sur la voie de processeurs toujours plus petits. Ceux-ci pour améliorer leurs performances doivent contenir toujours plus de transistors. L'une des innovations d'Intel consiste à insérer les transistors à la fois dans une couche ultra-mince de silicium et dans une couche d'isolant. L' autre obstacle surmonté par Intel est la perte de puissance. Plus les composants sont miniaturisés plus il devient difficile de canaliser les électrons au sein d'un transistor. Intel serait parvenu à surmonter cet obstacle fondamental en utilisant un nouveau matériau, dont la nature est tenue secrète, en remplacement du dioxyde de silicium pour la fabrication des wafers, les "galettes" sur lesquelles sont implantés les transistors. Cette nouvelle matière permettrait de réduire de plus de 10.000 fois la perte de puissance d'un processeur, Le transistor TeraHertz effectue mille milliards de commutations par seconde. Il faudrait plus de 15.000 ans à un être humain pour allumer et éteindre une lampe autant de fois. Pour Intel, ce nouveau transistor permettra à terme le développement d'appareils électroniques de plus en plus petits, plus performants, dont la durée de fonctionnement sera décuplée. "Cette nouvelle technologie est radicalement différente de la façon de fabriquer des transistors telle que nous la connaissions ", explique Dan Hutchinson, analyste du cabinet VLSI Research. Cette innovation majeure devrait permettre de prolonger encore la validité de la fameuse Loi de Moore, énoncée en 1965 par le co-fondateur d'Intel, Gordon Moore. Cette loi prévoit que le nombre de transistors que compte un processeur double tous les 18 mois et que, parallèlement son prix baisse de moitié. "Ce qui va freiner la performance des transistors, c'est bien la consommation d'énergie, pas leur vitesse ni leur taille", explique Gerald Marcyk, qui dirige la département de recherche sur les composant au sein d'Intel. Grâce à cette technologie, Intel espère pouvoir intégrer 25 fois plus de transistors dans ses futurs processeurs, qui travailleront dix fois plus vite sans consommer plus. Cette nouvelle génération de transistors, qu'Intel devrait présenter lors de l'International Electron Device Meeting à Washington la semaine prochaine, pourrait être intégrée aux microprocesseurs dès 2005. Dire qu'il y a encore 3 ans on prévoyait de n'atteindre le cap des 10 GHz qu'en 2010 !

Brève rédigée par @RT Flash

Intel :

http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20011126tech.htm

CNET :

http://news.cnet.com/news/0-1003-200-7945465.html?tag=mn_hd

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