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AMD et Intel préparent les microprocesseurs du futur

45 nm (ou 0,045 micron) et même 32 nm ! Tels sont les pas de gravure des transistors qu'envisage AMD pour ses futurs processeurs alors que ceux-ci sont aujourd'hui conçus en 130 nm et, prochainement, en 90 nm. L'objectif restant toujours le même : accélérer le transfert de charge électrique au sein du composant électronique tout en minimisant les pertes énergétiques, afin d'augmenter les performances globales des processeurs pour une consommation électrique minimale. Si la finesse de gravure aide à atteindre cet objectif, le choix des matériaux est tout aussi important pour optimiser les flux électriques. AMD se tournera notamment vers le siliciure de nickel (NiSi) en remplacement du polysilicium actuel pour la construction des "portes" (gate oxyde) des transistors. Le NiSi assurerait, selon AMD, une meilleure étanchéité, permettant ainsi de réduire les pertes énergétiques. Le matériau pourrait venir en combinaison avec le strained silicon. Cette technologie, qui "étire" les atomes de silicium, fluidifierait la circulation des électrons et optimiserait ainsi la dépense énergétique tout en accélérant les transferts. En laboratoire, la combinaison de ces technologies permettrait des gains de performance d'environ 30 %, selon AMD. La gravure en 45 nm n'est de toute façon pas attendue avant 2007 et celle en 32 nm devrait voir le jour en 2009. Parallèlement AMD et Intel poursuivent une autre voie de recherche : celle du tri-gate (triple porte). Le tri-gate est un transistor en volume et non plus plat comme actuellement. La charge électrique émise du haut de la porte du transistor est ensuite envoyée sur des "façades" verticales, triplant ainsi les flux du signal électrique. Un peu à l'image d'une route nationale qui s'élargit sur trois voies fluidifiant ainsi le trafic. Les chercheurs d'Intel ont réussi à réduire de 60 à 30 nm les portes des transistors tri-gate. Prévu pour être gravé en 45 nm pour 2007, le tri-gate résoudrait également, selon Intel, le problème des fuites électriques.

VUNet :

http://www.vnunet.fr/actu/article.htm?numero=11023&date=2003-06-13

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