Matière
- Matière et Energie
- Electronique
Semiconducteurs : la promesse du CMOS 'haute température
- Tweeter
-
-
0 avis :
L'Institut Fraunhofer pour les circuits microélectroniques, ou IMS, vient de présenter une première technologique : des puces CMOS capables d'opérer jusqu'à 250°C, soit considérablement plus haut que les 125°C au-delà desquels le CMOS conventionnel rend l'âme. Et la limite pourrait atteindre 300°C. Le Fraunhofer réussit ce tour de force en modifiant l'organisation physique de la puce. Le procédé, Simox (séparation par implantation d'oxygène), consiste essentiellement à optimiser la séparation entre le substrat et le circuit semiconducteur proprement dit, grâce à des couches d'oxyde conçues spécialement pour servir d'isolants thermiques. L'IMS combine ces couches, réalisées en quartz, avec un “emballage” du circuit dans une enveloppe de tungstène. Les chercheurs ont réalisé des prototypes d'EEPROM utilisant la technologie. Le résultat est un CMOS probablement un peu coûteux mais parfaitement compatible avec le CMOS conventionnel. L'objectif n'est pas ici de pousser l'électronique CMOS dans ses retranchements en terme de performances électroniques, mais de lui ouvrir la porte de multiples applications, industrielles en particulier, où les conditions d'opération lui interdisait jusqu'à présent de jouer un rôle important. Les EEPROM expérimentales ont par exemple été utilisées sur un site de forage géologique et le Fraunhofer rêve désormais de les décliner dans de nombreuses applications “chaudes”, des moteurs aux systèmes de freinage, en passant par les cuisinières domestiques....
Usine nouvelle : http://www.usinenouvelle.com
Noter cet article :
Vous serez certainement intéressé par ces articles :
Un semi-conducteur superatomique plus rapide que le silicium
Les appareils électroniques tels que les ordinateurs et les téléphones portables nécessitent des semi-conducteurs pour fonctionner. Ces matériaux présentent certaines limites qui restent irrésolues ...
Germanium-étain : le futur des puces électroniques ?
Au cours des sept décennies passées, la loi de Moore a été vérifiée, doublant le nombre de transistors sur une puce environ tous les deux ans. Les circuits sont devenus plus petits ...
Matériaux 2D et transfert de couche mince : le CEA-Leti et Intel combinent leurs forces pour des transistors sous-nanométriques
L’Institut Leti du CEA et Intel ont annoncé, fin juin 2023, leur collaboration visant à poursuivre la miniaturisation du transistor en deçà du nanomètre. Pour remplir cet objectif d’ici à 2030, les ...
Recommander cet article :
- Nombre de consultations : 79
- Publié dans : Electronique
- Partager :