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Un prototype de transistor à base de nanotubes de carbone en forme d'anneau

Fuji Xerox a développé un prototype de transistor a base de nanotubes de carbone ayant la forme d'un anneau. Un nanotube de carbone a été place au centre d'un substrat en silicium créant ainsi un dispositif qui possède les propriétés intrinsèques du transistor. Certains nanotubes de carbone possèdent en effet des propriétés identiques a celles des matériaux semiconducteurs. Malgré les difficultés de conception, Fuji Xerox a découvert que les nanotubes de carbone " semiconducteurs " pouvaient etre fabriques en les exposant a des ultrasons, les déformant ainsi en anneaux de diamètres inférieurs a 100nm. Un groupe de chercheurs de l'Université de Nagoya a conduit des recherches sur les nanotubes de carbone et a démontré la possibilité de contrôler le courant dans les nanotubes en les remplissant de fullerènes (C60). Le nouveau matériau promet d'etre beaucoup plus petit et rapide que les semiconducteurs a silicium. Cependant, de nombreux obstacles subsistent quant a une généralisation de la mise en oeuvre. Par exemple, les transistors a base de nanotubes de carbone nécessitent l'utilisation d'un microscope spécial pour travailler sur le nanotube et manipuler les électrodes. La R&D sur une technologie permettant la production de masse n'a pas encore commence, car une technologie capable de produire des nanotubes de carbone de grande pureté, en grande quantité et a bas coût doit d'abord etre développée. Les experts ont prévu que les applications pratiques des nanotubes de carbone seront développées vers 2010.

Fuji Xerox : http://www.fujixerox.co.jp/eng/ )

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