RTFlash

Avenir

Un nouveau type de mémoire informatique très performante

Une collaboration entre des chercheurs de Dresde (Saxe) et de Bâle (Suisse) a permis le développement d’une nouvelle génération de cellules de stockage constituant la mémoire vive des ordinateurs et des data centers. Celle-ci a pour avantage de réduire la consommation énergétique et l’échauffement des cellules avec des applications intéressantes pour les téléphones portables ou le stockage de méga-données.

Tout ordinateur ou centre de données a besoin d’une mémoire vive (Random Acces Memory, RAM) pouvant stocker, de manière provisoire et rapide d’accès, les processus à effectuer. La volatilité de la mémoire des anciennes générations de RAM nécessite un renouvellement, ce qui induit une consommation d’électricité élevée et un échauffement des cellules de stockage.

Pour ces raisons, certaines entreprises ont même établi leurs data centers dans des régions froides du globe. Des alternatives de cellules de stockage existent avec une mémoire non volatile de type magnétique MRAM (Magnetic Random Access Memory). Néanmoins, celles-ci restent consommatrices d’énergie et des problèmes de fiabilité subsistent lors de l’écriture ou de la lecture des données.

Une équipe rassemblant des chercheurs du Centre Helmholtz de Dresde-Rosendorf (HZDR), de l’Institut Leibniz de recherche sur les corps solides et les matériaux (IFW) de Dresde et de l’Université de Bâle, a développé une nouvelle génération de cellules de stockage avec un matériau antiferromagnétique où une couche mince d’oxyde de chrome (Cr2O3) est insérée entre deux nano-électrodes (Antiferromagnetic Magnetic Electric Random Acces Memory, AF-MERAM).

L’écriture de l’information (bit) a lieu en modifiant l’état magnétique de la couche de chrome avec une tension électrique 50 fois moins importante que pour les matériaux ferromagnétiques constituant les MRAM. En poursuivant leurs recherches, les scientifiques de l’Université de Bâle ont travaillé sur les propriétés de la couche d’oxyde de chrome à l’échelle nanométrique, espérant ainsi pouvoir stocker plusieurs bits sur une même cellule de stockage. Cette avancée potentielle pourrait avoir une application immédiate afin d’améliorer les capacités de stockage des futurs ordinateurs.

Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash

HZDR

Noter cet article :

 

Vous serez certainement intéressé par ces articles :

Recommander cet article :

    Poster un nouveau commentaire

back-to-top