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Les nanotubes de carbone s'attaquent aux mémoires RAM et Flash

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Les nanotubes de carbone s'attaquent aux mémoires RAM et Flash

Vendredi, 19/09/2003 - 22:00 0 commentaire
Les nanotubes de carbone s'attaquent aux mémoires RAM et Flash zoom

Une nouvelle entreprise, Nantero, vient d'ajouter son nom à la liste de celles recherchant le Saint-Graal de l'industrie des semi-conducteurs : la puce mémoire universelle c'est-à-dire celle qui saura associer les faibles coûts de production et la rapidité de la mémoire RAM à de faibles consommations électriques et à la non-volatilité de la mémoire Flash. Localisée à Boston, Nantero affirme que sa puce mémoire, baptisée NRAM (Nanoscale RAM), réunit toutes ces qualités, grâce à une approche complètement différente de celle des technologies concurrentes : les nanotubes de carbone. Découverts en 1991 par Nec, les nanotubes de carbone présentent des caractéristiques étonnantes. Ces minuscules cylindres ont un diamètre d'une dizaine d'atomes, soit moins de trois nanomètres pour comparaison, la taille des transistors du Pentium 4 est quarante fois plus importante. Plusieurs dizaines de fois plus résistants que l'acier, les nanotubes de carbone sont aussi durs que le diamant et aussi bons conducteurs électriques que le cuivre. Le principe de la puce NRAM consiste à exploiter des centaines de milliards de ces nanotubes disposés verticalement sur une galette de silicium. En réponse à une charge électrique, ces cylindres peuvent changer de position de quelques nanomètres, puis y rester en attendant une réinitialisation électrique. Nantero annonce avoir développé un prototype de puce NRAM capable de stocker 1,2 Go de données, accessibles en lecture/écriture dix fois plus rapidement que la DRAM, tout en ne consommant que très peu d'électricité. Un autre atout de cette puce est de pouvoir être fabriquée en utilisant des technologies proches de celles employées dans la production de RAM conventionnelle, donc déjà rentabilisées par l'industrie.

OINet : http://www.01net.com/article/216307.html

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