Matière
- Matière et Energie
- Electronique
Des mémoires magnétiques pour 2004
- Tweeter
-
-
0 avis :
Les espoirs des mémoires magnétiques viennent de faire un bond avec une alliance au sommet entre IBM et Infineon. Les deux géants de l'électronique ont décidé de combiner leurs ressources considérables (en démarrant avec 80 chercheurs et ingénieurs sur le projet) avec l'espoir de commercialiser des MRAM en 2004. Comme l'autre grande technologie mémoire d'avenir, la FRAM ou mémoire ferroélectri-que, la mémoire magnétorésistive promet de mettre fin à la segmentation des technologies mémoires. En effet, les équipement électroniques et informatiques actuels doivent jongler avec des mémoires optimisées pour leur prix (les DRAM), leur vitesse (les SRAM) ou leur rémanence (les mémoires-flash), aucune n'étant capable de faire le travail des autres. Sans même entrer dans la litanie des variations techniques comme les DRAM ou SGRAM... Les MRAM comme les FRAM devraient, elles, pouvoir accomplir cette combinaison de tous les facteurs importants. Dans l'alliance IBM-Infineon, Infineon apporte son expérience en matière de mémoires haute densité, et IBM, dont les laboratoires accueilleront l'essentiel du développement, apporte sa maîtrise des jonctions tunnel magnétiques (la clé des MRAM) et une technologie maison (chaque cellule d'une MRAM combine une jonction tunnel et un transistor). Une mémoire magnétique ne perd pas ses données lorsqu'elle n'est plus alimentée. Ainsi, quand on allumera l'ordinateur, il ne faudra plus attendre que les données "montent" en mémoire avant de commencer à travailler : l'ordinateur s'allumera instantanément, exactement tel qu'il était quand on l'a éteint.
Usine Nouvelle : http://www.usinenouvelle.com/
Noter cet article :
Vous serez certainement intéressé par ces articles :
Les puces en niobate de lithium pourraient révolutionner la photonique
Des puces ultra-fines à base de niobate de lithium pourraient bien surpasser les puces en silicium dans les technologies basées sur la lumière. Leurs applications potentielles vont de la détection à ...
Matériaux 2D et transfert de couche mince : le CEA-Leti et Intel combinent leurs forces pour des transistors sous-nanométriques
L’Institut Leti du CEA et Intel ont annoncé, fin juin 2023, leur collaboration visant à poursuivre la miniaturisation du transistor en deçà du nanomètre. Pour remplir cet objectif d’ici à 2030, les ...
Des puces photoniques sans lithographie
Les composants photoniques alimentés par laser permettent d’envoyer et de traiter des informations à la vitesse de la lumière, offrant ainsi une solution prometteuse pour les applications ...
Recommander cet article :
- Nombre de consultations : 91
- Publié dans : Electronique
- Partager :